Iseki Masahiro | Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd., 180 Ohmori, Anpachi–cho, Anpachi–gun, Gifu 503–01, Japan
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概要
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- Microelectronics Research Center, Sanyo Electric Co., Ltd., 180 Ohmori, Anpachi–cho, Anpachi–gun, Gifu 503–01, Japanの論文著者
論文 | ランダム
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- 1449 平板後縁近傍の乱流境界層の特性
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