Haraki Yu | Department of Materials Science, Shizuoka University, Japan
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- High-temperature annealing behavior of deep levels in 1 MeV electron irradiated p-type 6H-SiC
- SiC(0001)-(3×3)表面への銅フタロシアニン吸着の走査トンネル顕微鏡観察
- Analytical models for breakdown voltage and specific on-resistance of 6H-SiC schottky diodes (Electron devices: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Analytical models for breakdown voltage and specific on-resistance of 6H-SiC schottky diodes (Silicon devices and materials: 第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Very Thin Single-Walled Carbon Nanotubes Self-Assembled on 6H-SiC(0001) Substrate by Surface Decomposition Method