Fujioka Jorge | Instituto de F\iacute;sica, UNAM, Apdo. Postal 20–364, México DF 01000
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概要
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論文 | ランダム
- 21pGP-5 Substrate effect on the edge states of epitaxial graphenen grown on 4H-SiC(0001) studied by STM/STS
- 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-3 Liドープグラフェン/SiCの高分解能ARPES(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- ノースカロライナ州立Walter Bickett幼稚園での教育実習