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村上 大介 | 住友電工ハードメタル デザイン開発部
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半導体デバイスの放射線照射効果-2-フォトカプラの電子線及びγ線照射
シリコン単結晶の高エネルギ-電子線照射-2-深さ方向の照射欠陥分布
シリコン単結晶の高エネルギ電子線照射-1-比抵抗-電子フルエンスの関係
半導体デバイスの放射線照射効果-1-可変容量ダイオ-ドの電子線照射
シンチレーション検出法による高線量率パルス状X線の測定
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