Hata Seiichi | Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan

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概要

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• Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japanの論文著者

Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan | 論文

• Ferroelectric Characteristics Control of (Bi,La)4Ti3O12 and SrBi2Ta2O9 Films by Addition of Silicates and Germanates

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