Nakada Akira | Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku University, Aza–Aoba, Aramaki, Aoba–ku, Sendai 980–77, Japan

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概要

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• Department of Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku University, Aza–Aoba, Aramaki, Aoba–ku, Sendai 980–77, Japanの論文著者

論文 | ランダム

• 301 Si チャネル MOS トランジスタのドレイン電流特性に及ぼす応力の影響
• 2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
• Siウエハの研削加工ダメージの評価に関する研究
• パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
• パーティクルフリー分子線エピタキシー成長とデバイス作製技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)

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