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Gao Yu | Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432, Japan
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432, Japanの論文著者
Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432, Japan | 論文
Electrical Properties of Melt-Epitaxy-Grown InAs0.04Sb0.96 Layers with Cutoff Wavelength of 12 μm
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