Schuck Peter | Institut de Physique Nucléaire, 91406 Orsay Cedex, France
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概要
論文 | ランダム
- 13p-A-4 InSb p-n junctionの高圧下の特性
- 13p-A-3 p型InSbの低温に於る熱起電力
- ペロブスカイト酸化物界面の原子層成長制御 (特集 高品質エピタキシャル薄膜の作製・デバイス化)
- 横リブ付きRC床版を有するPC箱桁ラ-メン橋の設計と施工--菅原城北大橋
- ポリイミド/ビスマレイミドのブレンド系の接着性