Iwasa Nobuhiro | Division of Material Science and Engineering, Hokkaido University, Japan
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概要
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論文 | ランダム
- 23aXA-10 グラフェン関連模型における半整数量子ホール効果への分解(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-6 早送り理論による磁場下での量子状態の高速制御(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-5 半導体微細ロール構造の機械振動における曲率依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-1 非断熱状態変化を用いた量子干渉計(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-49 水素吸着グラフェンの磁性(25aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))