Ishida Hiroyuki | Advanced Technology Research Center, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd., 1–8–1 Sachiura, Kanazawa–ku, Yokohama 236, Japan
スポンサーリンク
概要
- Ishida Hiroyukiの詳細を見る
- 同名の論文著者
- Advanced Technology Research Center, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd., 1–8–1 Sachiura, Kanazawa–ku, Yokohama 236, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- 低速イオン散乱 (表面構造の解析手法(技術ノ-ト))
- 1P132 Z-DNAを用いた核酸用力場の評価(核酸-構造・物性,第48回日本生物物理学会年会)
- 4a-E-1 固体表面における希ガスイオンの中性化過程III:電子相関効果
- 3p-E-3 低速イオン散乱分光によるSi(111)面上のAg薄膜の初期成長過程
- 3a-E-10 金属シリサイドの表面構造に関する研究