Hsieh Jang–Cheng | Taiwan Memory Technology Inc., Hsinchu, Taiwan, Republic of China

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概要

• 同名の論文著者
• Taiwan Memory Technology Inc., Hsinchu, Taiwan, Republic of Chinaの論文著者

Taiwan Memory Technology Inc., Hsinchu, Taiwan, Republic of China | 論文

• Improvement on Fluorine Effect under High Field Stress in Tungsten-Polycide Gated Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Oxynitride and/or Reoxidized-Oxynitride Gate Dielectric

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