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新宮原 正三 | 関西大 システム理工学部
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26a-ZC-7 アニール温度変化によるAlGaAs膜中の水素の挙動
26a-ZC-4 原子状水素援用MBE法によるGaAs/GeヘテロエピタキシーII
28a-SZK-5 水素原子援用MBE法によるGaAs量子ドット構造の作製
31p-ZH-5 GaAs/InP島成長の異方性における原子状水素の影響
次世代光ファイバ通信時代へ向けて
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