中村 育雄 | 名大・工・機械

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概要

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論文 | ランダム

• 15a-L-7 閉管法によるGaAs-Ge異質接合
• 東海道新幹線における静止形切替開閉器の開発
• GeのVapor Growth VII : 半導体(結晶成長)
• 東海道新幹線における負荷特性の分析について (き電システム特集)
• エピタキシャル法によるGeのhighly dope : 半導体 : 結晶成長

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