木股 浩之 | 三菱電機株式会社 設計システム技術センター

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論文 | ランダム

• High-Voltage 4H-SiC pn Diodes Fabricated by p-Type Ion Implantation
• High-Voltage 4H–SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated on ($03\bar{3}8$) with Closed Micropipes
• Impact of SiC Structural Defects on the Degradation Phenomenon of Bipolar SiC Devices (特集 R&D--車の未来を拓く基礎技術)
• 1A1-F01 無線 LAN 環境における Linux を搭載した組込みロボットコントローラ
• Low-loss, high-voltage 6H-SiC epitaxial p-i-n diode

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