和田 修 | 富士通研究所半導体研究部

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概要

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• 富士通研究所半導体研究部の論文著者

富士通研究所半導体研究部 | 論文

• 超高速素子による情報処理の展望(2) : 高電子移動度トランジスタ(HEMT)
• 材料およびデバイスにおける最近の研究動向 : 固体デバイス
• 7-1 固体デバイス(7.材料およびデバイス)(テレビジョン年報)
• 6)SHF帯GaAs高出力FET(テレビジョン無線技術研究会(第43回))

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