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吉川 治男 | 同和鉱業株式会社,中央研究所
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8a-S-6 同時ドーピングによる低抵抗n型ダイヤモンド半導体の実現方法の提案
5p-L-5 電子励起によるアモルファス半導体の低温結晶化促進反応機構(理論)
3a-M-7 ダイヤモンド中の不純物の第一原理計算
29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
3a-J-9 第一原理分子動力学法によるアモルファスシリコンの光誘起結晶化機構
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