大嶋 清 | 日本セラテック　メガセラ事業部　技術部

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概要

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論文 | ランダム

• 11p-F-10 Siのエレクトロフレクタンス : 4.0〜5.0 eV
• 3p-R-12 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(IV)
• 11p-W-5 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス (III)
• 3a-KL-1 一軸性圧力下のSiのエレクトロレフレクタンス(II)
• 24a-G-3 Siのエレクトロレフレクタンス (I)

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