太田 時男 | 横浜国立大学工学部電気工学科
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概要
論文 | ランダム
- 26a-ZD-5 HgCdTe用バッファ層を目的としたMOCVD法によるCdZnTe成長(III)
- 26a-ZD-4 HgCdTe用バッファ層を目的としたCdZnTe成長(II) : DMZnを用いたZnTe成長
- 29p-ZL-16 TBAsを用いたHgCdTeの砒素添加特性
- 29p-ZL-13 MOCVD法によるSi基板上HgCdTe(II) : CdTeバッファ層膜厚依存
- 29p-ZL-12 MOCVD法によるSi基板上HgCdTe(I) : 基板面方位依存