Huang Lingling | Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China.

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概要

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• Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China.の論文著者

Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China. | 論文

• Impact of random discrete dopant in extension induced fluctuation in gate–source/drain underlap FinFET

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