金山 周次 | 大阪大学第3解剖

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概要

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論文 | ランダム

• 29p-Q-9 RS(Radical Source)-MBE法ZnO薄膜の電気特性のアニール条件依存性
• 29p-Q-3 RSMBE法によるオフAl_2O_3基板上のZnO薄膜成長
• 30p-L-11 活性酸素ビーム複合レーザMBE法によるLiNbO_3結晶薄膜
• 30p-ZP-10 GaN rich GaNPにおける最大P組成の成長温度依存性
• 28a-ZQ-1 石英ガラス基板上成長多結晶GaNのAFM観察

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