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栗田 恒雄 | 産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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28a-ZC-3 低周波雑音特性を用いた半導体の光吸収係数の推定
28p-C-4 半導体中のキャリア生成雑音スペクトル
接合型Siフォトダイオードの低周波雑音
28p-ZM-14 GaAsショットキー光ダイオードの低周波雑音
30a-TC-5 半導体中の生成電流スペクトル
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