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宮坂 史和 | 大阪大学大学院 工学研究科 知能・機能創成工学専攻
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A 75 cm Hydrogen Bubble Chamber
総合報告 シリコンLSI新材料技術の現状と課題--フロントエンドプロセス
固相エピタキシー法によるSi(111)表面上のGe3次元島のコースニング過程 : エピタキシャル成長IV
シリコン表面の初期酸化と水素
集束イオンビームを用いたナノチャネルMOSFETの作製とクーロンブロッケード現象
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