平田 圭二 | NTT コミュニケーション科学基礎研究所
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概要
論文 | ランダム
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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