細川 晃 | 金沢大 理工研究域 機械工学系
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概要
論文 | ランダム
- 高圧昇華法によるGaN単結晶育成(窒化物半導体結晶)
- 水溶原料を用いた高品質CsLiB_6O_結晶の育成(機能性結晶I)
- 高品質CsB_3O_5単結晶の育成(機能性結晶I)
- LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))