井田 仁康 | Institute of Geoscience, University of Tsukuba.
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 27a-E-9 反応中の表面 : HREELSによる中間体の決定
- 1p-Z-1 Ni表面上の単原子層グラファイトのフォノン
- 触媒作用と表面構造
- P1-30 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位