後藤 純信 | 国際医療福祉大学 福岡リハビリテーション学部 作業療法学科
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概要
論文 | ランダム
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- 藻場造成の適地選定手法について
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価