西野 精治 | スタンフォード大学睡眠研究センター

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概要

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論文 | ランダム

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• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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• GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)

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