星野 富夫 | 東京大学技術 生産技術研究所

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概要

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• 巻頭言
• 28aZF-11 反応速度式による水素照射中の Si 表面の水素被覆率
• 25aW-13 水素原子とC, Si, Ge(100)表面の相互作用
• 24pW-3 水素原子によるGe(100)表面吸着水素抜き取り反応
• 31a-F-5 D(g)+H-Si(s)→DH(g)+-Si(s)反応

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