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和田 守叶 | 株式会社東芝総合研究所・化学材料研究所
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論文 | ランダム
31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
固体の電子励起による大きな原子移動
レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
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