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新実 真 | 豊橋技術科学大学 大学院
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強誘電体メモリを利用したセキュアDPGA
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高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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