FUJITA Tsuyoshi | Civil and Environmental Eng. Dept, Toyo University
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概要
論文 | ランダム
- ダイナミック酸化膜電界ストレス下でのチャージポンピング電流に起因する界面トラップ形成(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- ZrO_2ゲート絶縁膜のアニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- p-MOSFETのための原子層成長Si窒化膜/SiO_2スタックゲート絶縁膜の研究
- シリコン熱酸化膜のホットエレクトロン耐性に及ぼす有機ガス汚染の影響
- 二重障壁極微細MOSトランジスタの電気伝導