増井 利彦 | 社団法人 土木学会
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概要
論文 | ランダム
- 巻頭のことば
- 五〇周年記念号の刊行にあたって
- Passivation effects of 100nm In0.4AlAs/In0.35GaAs metamorphic high-electron-mobility transistors with a silicon nitride layer by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition (Special issue: Solid state devices and materials)
- Passivation Effects of 100nm In_AlAs/In_GaAs Metamorphic HEMT With Remote PECVD Grown Si_3N_4 Layer
- Pt Buried Gate E-pHEMT with High V_ and Reduced Surface Trap Effects