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中西 博 | 株式会社東芝総合研究所基礎研究所
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株式会社東芝総合研究所基礎研究所 | 論文
27p-ZB-10 S/N/S′接合系のIcRnの解析
S/N/S接合系のIcRn積の解析
31a-TB-5 ボルツマン方程式を用いた近傍効果の解析
3a-ZE-1 境界面の状態に依存するペア相関関数の境界条件の導出
デバイス化のための薄膜積層技術
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